每一个 NAND Flash 存储设备都会被组织成多个块（Block），每个块包含多个页（Page）。写入操作通常是按页进行的，而擦除操作是按块进行的。

擦除块的操作通常涉及以下步骤：

1. 发送擦除命令；这个命令通常是一个固定的值，例如 0x60 或 0xD0，具体取决于 NAND Flash 的制造商和模型。
2. 发送要擦除的块的地址。
3. 发送确认擦除的命令。
4. 等待擦除操作完成并检查状态确认擦除成功。

下面是一个伪代码示例，展示了如何对 NAND Flash 块进行擦除：

#include <nand_flash.h> // 假定你有一个与 NAND Flash 交互的库

// 通常情况下 NAND Flash 的擦除命令
#define BLOCK_ERASE_COMMAND        0x60
#define BLOCK_ERASE_CONFIRM_COMMAND 0xD0

// 函数用于擦除一个 NAND Flash 块
bool eraseBlock(uint32_t blockAddress) {
    // 1. 发送擦除命令
    sendCommand(BLOCK_ERASE_COMMAND);

    // 2. 发送要擦除的块的地址
    sendAddress(blockAddress);

    // 3. 发送确认擦除的命令
    sendCommand(BLOCK_ERASE_CONFIRM_COMMAND);

    // 4. 等待擦除操作完成
    waitUntilReady();

    // 5. 检查状态确认擦除成功
    if (checkStatus()) {
        // 擦除成功
        return true;
    } else {
        // 擦除失败
        return false;
    }
}

// 这里的 sendCommand, sendAddress, waitUntilReady 和 checkStatus 应当依据你的硬件规范来实现。

在编写这些操作的实际代码时，应遵循 NAND Flash 数据手册提供的标准操作流程，包括对特定 flash 设备的命令编码。发送地址的函数 sendAddress 可能需要将地址的各个部分（页、块、平面）分别发送，而且很多 NAND Flash 设备需要在地址发送前后使用适当的时间间隔。